下面是引用woolswell于2006-02-16 22:43发表的 055O UPMW周期的AMD OPTERON 165超频探测:
为何在测试过程中,就发此文?
唯一原因就是,希望高手入内指导!
BIOS设定不写出,大家也难指导。
.......
抱歉~~刚刚要回文不小心点到删除文章>"<\
刚好同事又来找说星期日要结婚..要帮忙他装一下冷气>"<
主机版晶片组散热无法改??
其实小弟新的A8N SLI改晶片组散热时也遇到会卡到的问题
小弟是用砂轮机切割过散热器..目前已顺利安装上去噜XD
建议您也可以挑一款比较不会卡到的再来自己修正一下
您试试看小弟给您的参数,因为RAM每个设定不尽相同.....
所以也是用猜的XD........小弟猜测的参数将会放的很宽.......
而且小弟能力也普普拉XD...毕竟我不会去用"佩步"让测试过关XD.....
试试看吧~"~ 第一组不过在试试看第2组参数
结果在告诉我.....希望猜对噜>"<
测试SP 2004前请先用Memtest86跑个8圈以上是否过
过了在跑SP 2004....................
虽然个人感觉应该是U电压您设的不够...还是给您建议噜XD.....
1.电压设定:
CPU电压:1.35 V (先用预设电压跑,先不要降压,因为体质您也还不知道)
记忆体电压: 2.7 RO 2.75V(不知道您用的RAM,所以都是猜猜猜@@)
主机板晶片组电压:1.5V
2.CPU设定
FSB BUS Frequency:300
LTD/FSB Frequency Ratio: 3
CPU/FSB Frequency Ratio:9
3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET: 200(RAM/FSB:01/01)
Command Per Clock (1T/2T):1T
Cas Latency Control (Tcl): 2.5 OR 3
Ras# toCas#delay (Trcd): 4 OR 6
Min Ras# Active time (Tras):8 OR12
Row Precharge time (Trp): 4 OR 6
Row Cycle time (Trc):10 OR 12 (最后还不行改14>"<)
Row Reflash cycle time(Trfc):14 OR16(最后还不行改18)
Row to Row delay (Trrd): 2
Write recovery time (Twr): 3
Write to Read delay (Twtr):1 OR 2
Read to Write delay (Trwt): 3 OR 4
Refresh Period (Tref):AUTO
Write Cas Latency (Twcl):1 OR 2
Dram Bank Interleave :Enable
提外话...
小弟新的A8N SLI 用的滥记忆体(南亚)参数一改SP 2004救挂了
参数不改SP 2004过测......但是3D MARK05 跑有时会当机>"<
记忆体果真很重要XD..............