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2006-12-1/ 资讯传真周刊/ 撰文
传统 DDR 记忆体 运作时脉约为266MHZ到400MHZ，而某些公司利用特别挑选的元件，可以推展到600MHZ；一般标准的 DDR2 工作频率是800MHZ，但是许多厂商都推出给超频狂热者使用的1066MHZ产品。
在上个月 Nvidia 公司，交给杂志测试人员的Nforce 680i当中，第一次提到新的运作速度，也就是即将推出的 Corsair Dominator超频记忆体，将会以DDR2-1200的速度运作，也将会探讨延伸原先1066MHZ的速度到标准当中。
事实上，使用者可能没有办法在低于2.2伏特的电压下，运作如此高的速度，因为，这要比DDR2原先所定义的1.8伏特电压规格来的高上一些，在许多例子中，将会建议使用2.3伏特的电压操作，这样一来便与原先采用2.5伏特的DDR记忆体相当接近；但目前并不确定能否使用1.5伏特的 DDR3 记忆体能，否达到1333MHZ的速度。
目前DDR3依旧在初期阶段，部分原因是市场尚无需求，且也没有任何的主流晶片组支援该规格。在超微方面，至少还需要九个月的时间，等待K8L核心与AM3插座的版本上市；虽然可以提供1.5伏特运作DD3-1600的规格，但都需要一段时间才来得及上市。
不过在此之前，2007年底时Altair FX将会先行采用改良式的DDR2双通道控制器，而不是标准的1066MHZ运作速度，达到提生效能的目的。
而在英特尔阵营方面，即将推出非英特尔解决方案的工作站级晶片组，将支援双通道、双插槽的Woodcrest与Clovertown架构，也将会是开始支援DDR3的好目标，双通道DDR3-1333的版本，将可以与双1333FSB的方式抗衡，不需要将FSB都超频到1600MHZ，因为事实上DDR3的规格，本身在上市的时候，就会支援1600MHZ的速度。
有趣的是，与两年前DDR1到DDR2的延迟参数相比，DDR2到DDR3似乎没有这个问题，即使是第一款的DDR3-1333，都预计会有CL6延迟数据，许多产品甚至也可以做到CL5，或是之后的DDR3-1600 CL6；而除了标准化的产品外，也会有针对挑选过的元件，所推出的更高速度版本。同时，新推出的产品也都具备低耗能、低发热的特性。
PS:这下"精选"的制成品不知价格上,将如何界定.
