DDR(双倍资料速率,double data rate)正如其名,提供了比SDRAM要快一倍的读写功能,因为它能够在单一时脉周期内读取两次。SDRAM只能在时脉周期顶峰读取一次,而DDRAM则能在顶峰和谷面各读取一次------DDRII采0.10微米制程的DDRII预计由400 MHz起跳,并且未来将能达到DDR-I无法达到的533 MHz和667 MHz等速度。虽然模组本身设计不同,但是记忆体核心还是跟前一代一样。另外在笔记型电脑应用上,DDRII所需电压也比较低。由Micron申请的专利资料中,说明了DDRII JEDEC规格记忆体模组,在单一读取循环中如何存取并输出4位元资料。DDRII的存取与输出量比DDR高一倍每次记忆体会存取4位元一组的资料,并且在两个时脉循环中输出到资料区,或是分成2次各输出2位元。不过单时脉循环处理4位元仍旧是个挑战。和4位元来自相同区域的DDR不同的是,DDRII必须要分别出哪两个位元在哪个时脉循环输出。另外DDRII也必须决定正确的位元顺序,以在输出时也保持正确性。
下面是引用benson119于2006-01-23 14:51发表的 : 哇 各位先进 你们还真专业都把 SPEC 写出来了