DDR2记忆体技术浅析 文章出处: IT.com.cn(IT世界)

背景
　　随着Intel i915系列主板的推出，DDR2等众多新技术也渐渐浮出水面。那么，DDR2与DDR到底有什么区别呢？DDR2的优势又在哪里？下面就让笔者给大家简要介绍一下吧。

定义及区别
　　DDR2是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的全新的下一代DDR记忆体技术标准，将被Intel BTX规格的代号为Alderwood的i915P晶片组和代号为Grantsdale的i925X晶片组完全支持。
　　在了解DDR2记忆体诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的资料
　　1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2记忆体拥有两倍于标准DDR记忆体的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行资料传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令资料的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2记忆体中，后者的记忆体延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
　　2、封装和发热量：DDR2记忆体技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
　　DDR记忆体通常采用TSOP晶片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2记忆体均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2记忆体的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
　　DDR2记忆体采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

三项新技术
　　除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
　　ODT： ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止资料线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的记忆体模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了资料线的信号比和反射率，终结电阻小则资料线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则资料线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配记忆体模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
　　Post CAS：它是为了提高DDR II记忆体的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它也有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。现在市面上已经出现了部分DDR2记忆体产品，相信朋友们在看了上面的介绍以后，可以明白自己目前到底是否需要购买DDR2记忆体了吧？

小弟还是先观望好了，毕竟谁也不知道DDRII是否会成为RAMBUS第二......

下面是引用MaverickWu于2004-11-1 4:28 PM发表的 :
小弟还是先观望好了，毕竟谁也不知道DDRII是否会成为RAMBUS第二......

说的好阿︿︿
因为DDR2延迟太多了，
效能有差＠＠

我认为它是未来区势,且价格已经向下降了,有人(朋友)在准备冲DDRII,看帐面400起跳,我想600不远了^^
只要CPU够快,RAM够大没理由不用DDRII,毕竟它不像RAMBUS那样高不可攀,又比DDR贵一些且一条就可跑,我认为会像DDR挤压SDRAM空间...有错请指正^^

下面是引用warner于2004-11-1 6:06 PM发表的 :
我认为它是未来区势,且价格已经向下降了,有人(朋友)在准备冲DDRII,看帐面400起跳,我想600不远了^^
只要CPU够快,RAM够大没理由不用DDRII,毕竟它不像RAMBUS那样高不可攀,又比DDR贵一些且一条就可跑,我认为会像DDR挤压SDRAM空间...有错请指正^^

有可能...
因为毕竟DDR与DDR2并不能交叉使用...到时候一场DDR与DDR2的生存争夺战是无法避免的...
只是说...到时候SDRAM可能就像EDORAM一样成为了历史名词...还在使用的人可能未来也摆脱不了汰旧换新的命运吧...(像我就还在用SDRAM...= =)

谢谢你的分享 看完让我更了解了

十分之详细的教学,使用重新了解DDR和DDR2的分别

谢谢大大 不急着更新,带技术成熟再说!!~~

下面是引用libery于2004-11-4 8:57 AM发表的 :
谢谢大大 不急着更新,带技术成熟再说!!~~

其实也无法马上更新,要看你用的晶片组是否支援,我也是在等它降到合理价位,且效能强过目前DDR
否则我也看不出有升级的价值

目前DDR2的价钱约是DDR的二倍，效能也没有很多的提升，所以大家等等吧
而且目前的DDR2 CL都是4......