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[轉貼][RAM] DRAMeXchange產業研究報告: DDR3預計2009年才有機會成為主流
【轉貼網址】 http://www.wunzhang.com/releas...eb363799.htm

(2006年3月27日)DDR2預計在 2006年Q2比例才會超越50%。若以此推估DDR3的進度,預期將由2006年下半年才會有更多的DRAM廠開始進入engineering sample階段,而至少要到2007年下半年才會開始pilot run,而等待市場需求的轉進至少需要到2008年底才有機會達到30%的比例,預計2009年才有機會成為主流。

DDR2 即將成為主流, DDR3 進入準備期

DDR2 自 2004 年初開始在 PC 市場應用萌芽 , 但相繼受到 0.11 微米制程不順 ,DDR2 成本居高不下及 Intel 晶片組缺貨影響下 , 直至 2006 年第二季才晉升成為主流的記憶體規格 。 DDR2 成為主流的時程較廠商預期落差達一年左右,原本 Intel 的 roadmap 中希望在 2006 年將 DDR3 導入 PC 市場,也在 2005 年初 , 將 DDR3 上市時程改為 2007 年 , 以下是我們對 DDR3 的分析報導 :

DDR2 與 DDR3 差異

DDR2 與 DDR3 的差異,可以區分為下列項目來作探討 :
‧   規格方面 : 目前 DDR3 的詳細規格仍未完全確定,但是以具體設計來看, DDR3 與 DDR2 基本結構並無太大不同。

由於未來存貯器傳輸速度不斷提高,因此 DDR3 所擁有的特色,必須要有更高的傳輸速度以及將功耗進一步降低。根據 JEDEC 的標準, DDR3 采 8 bit 預取設計,較 DDR2 4bit 的預取設計為倍數成長,運算時脈介於 800MHz -1600MHz 。

此外,最主要的差異還是為了因應速度增加所產生的熱量,因此電壓之降低是一個很重要的條件,目前 DDR3 的規格要求將電壓控制在 1.5V ,較 DDR2 的 1.8V 更為省電。此外,並新增 thermal sensor 的功能,由於存貯器為了要確保所存貯的資料不遺失,因此必須要定期 self-refresh ,不過為了節省電力, DDR3 採用 ASR(Automatic self-refresh) 的設計,以確保在資料不遺失情況下,儘量減少更新頻率來降低溫度。

‧   主生產制程及顆粒規格 :
在 density 上,不同於 DDR 的 256Mb , DDR2 的 512Mb , DDR3 預期會由 1Gb 導入以符合當時市場需求。此外,在生產的制程上,也不同於 DDR2 在 0.11um 制程上生產, DDR3 預期會在 70nm 的制程上作量產。


DRAM 廠均已宣佈可生產 DDR3

儘管 DDR3 導入 PC 市場的時程仍然遙遠,但是三星、 Infineon 、 ELPIDA 等 DRAM 廠均宣佈已成功開發出 DDR3 藉此來表明自己實力。而目前所宣佈的規格大部分都從 1067MHz 導入,並且供應電壓將從 DDR2 之 1.8V 降低至 DDR3 之 1.5V 。

DRAM 廠在 DDR2 轉進過程中,2004 年因受限於 0.11 微米制程不順 ,使 DDR2 成本居高不下,及至 2005 年,0.11 微米良率趨成熟, 幾家制程領先的 DRAM 廠 2005 年遂于第三季大量轉進 DDR2 後,不料英代爾的晶片組缺貨加上主機板規格尚不能大量支援,電腦系統大廠尚未大量轉向 DDR2, 結果廠商大量生產 DDR2, 反造成 DDR2 嚴重供給過剩, DDR2 價格狂跌,甚至曾低於 DDR 價格 15% , DRAM 廠因此承受不小的壓力。在 DRAM 廠投入大量的資金成本, 研發及製造新世代商品,在新世代商品成為主流商品後,至少維持兩到三年的主流地位,對 DRAM 廠的資本投資回收較有利,因此,儘管JEDEC 公佈 DDR2的速度只會到 800MHz,DRAM 廠仍希望DDR2速度規格延伸至1066MHz來延長DDR2的主流地位。

Intel DDR3的時程規劃

而從 Intel的Roadmap來看,今年下半年主推945與965系列產品全面支援DDR2,而不會像915系列推出雙支援DDR與DDR2規格的產品。至於 DDR3 則是規劃在 2007 年導入 PC 市場,但是在 DDR2 進度嚴重落後下,預期至少要到 2007 年第二季以後才有機會看到支援 DDR3 的晶片組。
而 DDR3 發展初期,也有可能會出現像 DDR2 世代雙支援的階段性產品。至於在 AMD 的態度方面,由於支援 DDR2 的 CPU AM2 需要推遲到 2006 年 6 月,因此支援 DDR3 的時程恐將更為推遲,可能規劃到 2008 年以後。

DDR3 導入 PC 市場路途仍遙遠

若以之前 DDR2的演進時程來作觀察,DDR2大約在2003年初即開始進入了engineering sample階段,而2003年底開始pilot run,直到2005年第四季產出量才達到30%的比例,預計在2006年Q2比例才會超越50%。若以此推估DDR3的進度,預期將由2006年下半年才會有更多的DRAM廠開始進入engineering sample階段,而至少要到2007年下半年才會開始pilot run,而等待市場需求的轉進至少需要到2008年底才有機會達到30%的比例,預計2009年才有機會成為主流。 此外, DDR3 應會從 1Gb , 70nm 制程導入,因此另一方面也必須配合 DRAM 廠的制程轉進速度,若 DRAM 廠在 70nm 的制程轉進不順利, DDR3 成為主流的時程恐將更為遙遠。




關於DRAMeXchange

創立於2000年2月,為全球首創之記憶體產業研究機構及DRAM專屬交易市集 ( eMarketplace )。會員累計超過46000人(2006.2),目前為全球最大之記憶體相關價格、產業報告網站。首創提供客戶即時之DRAM、FLASH現貨市場、合約市場報價,交易資訊。並提供DRAM、FLASH產業之供應鏈、需求鏈的深入產業研究報告。DRAM每日/每周/每月與每季更新研究數據,提供記憶體產業、IT產業採購、與外資法人投資最貼近真實面之決策報告。



獻花 x0 回到頂端 [樓 主] From:臺灣中華電信HINET | Posted:2007-01-26 22:44 |

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