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雷亚
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[转贴][RAM] DRAMeXchange产业研究报告: DDR3预计2009年才有机会成为主流
【转贴网址】 http://www.wunzhang.com/releas...eb363799.htm

(2006年3月27日)DDR2预计在 2006年Q2比例才会超越50%。若以此推估DDR3的进度,预期将由2006年下半年才会有更多的DRAM厂开始进入engineering sample阶段,而至少要到2007年下半年才会开始pilot run,而等待市场需求的转进至少需要到2008年底才有机会达到30%的比例,预计2009年才有机会成为主流。

DDR2 即将成为主流, DDR3 进入准备期

DDR2 自 2004 年初开始在 PC 市场应用萌芽 , 但相继受到 0.11 微米制程不顺 ,DDR2 成本居高不下及 Intel 晶片组缺货影响下 , 直至 2006 年第二季才晋升成为主流的记忆体规格 。 DDR2 成为主流的时程较厂商预期落差达一年左右,原本 Intel 的 roadmap 中希望在 2006 年将 DDR3 导入 PC 市场,也在 2005 年初 , 将 DDR3 上市时程改为 2007 年 , 以下是我们对 DDR3 的分析报导 :

DDR2 与 DDR3 差异

DDR2 与 DDR3 的差异,可以区分为下列项目来作探讨 :
‧   规格方面 : 目前 DDR3 的详细规格仍未完全确定,但是以具体设计来看, DDR3 与 DDR2 基本结构并无太大不同。

由于未来存贮器传输速度不断提高,因此 DDR3 所拥有的特色,必须要有更高的传输速度以及将功耗进一步降低。根据 JEDEC 的标准, DDR3 采 8 bit 预取设计,较 DDR2 4bit 的预取设计为倍数成长,运算时脉介于 800MHz -1600MHz 。

此外,最主要的差异还是为了因应速度增加所产生的热量,因此电压之降低是一个很重要的条件,目前 DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ,较 DDR2 的 1.8V 更为省电。此外,并新增 thermal sensor 的功能,由于存贮器为了要确保所存贮的资料不遗失,因此必须要定期 self-refresh ,不过为了节省电力, DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计,以确保在资料不遗失情况下,尽量减少更新频率来降低温度。

‧   主生产制程及颗粒规格 :
在 density 上,不同于 DDR 的 256Mb , DDR2 的 512Mb , DDR3 预期会由 1Gb 导入以符合当时市场需求。此外,在生产的制程上,也不同于 DDR2 在 0.11um 制程上生产, DDR3 预期会在 70nm 的制程上作量产。


DRAM 厂均已宣布可生产 DDR3

尽管 DDR3 导入 PC 市场的时程仍然遥远,但是三星、 Infineon 、 ELPIDA 等 DRAM 厂均宣布已成功开发出 DDR3 藉此来表明自己实力。而目前所宣布的规格大部分都从 1067MHz 导入,并且供应电压将从 DDR2 之 1.8V 降低至 DDR3 之 1.5V 。

DRAM 厂在 DDR2 转进过程中,2004 年因受限于 0.11 微米制程不顺 ,使 DDR2 成本居高不下,及至 2005 年,0.11 微米良率趋成熟, 几家制程领先的 DRAM 厂 2005 年遂于第三季大量转进 DDR2 后,不料英代尔的晶片组缺货加上主机板规格尚不能大量支援,电脑系统大厂尚未大量转向 DDR2, 结果厂商大量生产 DDR2, 反造成 DDR2 严重供给过剩, DDR2 价格狂跌,甚至曾低于 DDR 价格 15% , DRAM 厂因此承受不小的压力。在 DRAM 厂投入大量的资金成本, 研发及制造新世代商品,在新世代商品成为主流商品后,至少维持两到三年的主流地位,对 DRAM 厂的资本投资回收较有利,因此,尽管JEDEC 公布 DDR2的速度只会到 800MHz,DRAM 厂仍希望DDR2速度规格延伸至1066MHz来延长DDR2的主流地位。

Intel DDR3的时程规划

而从 Intel的Roadmap来看,今年下半年主推945与965系列产品全面支援DDR2,而不会像915系列推出双支援DDR与DDR2规格的产品。至于 DDR3 则是规划在 2007 年导入 PC 市场,但是在 DDR2 进度严重落后下,预期至少要到 2007 年第二季以后才有机会看到支援 DDR3 的晶片组。
而 DDR3 发展初期,也有可能会出现像 DDR2 世代双支援的阶段性产品。至于在 AMD 的态度方面,由于支援 DDR2 的 CPU AM2 需要推迟到 2006 年 6 月,因此支援 DDR3 的时程恐将更为推迟,可能规划到 2008 年以后。

DDR3 导入 PC 市场路途仍遥远

若以之前 DDR2的演进时程来作观察,DDR2大约在2003年初即开始进入了engineering sample阶段,而2003年底开始pilot run,直到2005年第四季产出量才达到30%的比例,预计在2006年Q2比例才会超越50%。若以此推估DDR3的进度,预期将由2006年下半年才会有更多的DRAM厂开始进入engineering sample阶段,而至少要到2007年下半年才会开始pilot run,而等待市场需求的转进至少需要到2008年底才有机会达到30%的比例,预计2009年才有机会成为主流。 此外, DDR3 应会从 1Gb , 70nm 制程导入,因此另一方面也必须配合 DRAM 厂的制程转进速度,若 DRAM 厂在 70nm 的制程转进不顺利, DDR3 成为主流的时程恐将更为遥远。




关于DRAMeXchange

创立于2000年2月,为全球首创之记忆体产业研究机构及DRAM专属交易市集 ( eMarketplace )。会员累计超过46000人(2006.2),目前为全球最大之记忆体相关价格、产业报告网站。首创提供客户即时之DRAM、FLASH现货市场、合约市场报价,交易资讯。并提供DRAM、FLASH产业之供应链、需求链的深入产业研究报告。DRAM每日/每周/每月与每季更新研究数据,提供记忆体产业、IT产业采购、与外资法人投资最贴近真实面之决策报告。



献花 x0 回到顶端 [楼 主] From:台湾中华电信HINET | Posted:2007-01-26 22:44 |

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