听说是转贴于PCDVD来的...



CAS# latency (Tcl)
全名:预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。
例如CL=3，表示电脑系统自主记忆体读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)
。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显着影响。


RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器传输延迟(Row Adress Strobe,列位址控制器)
to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
记忆体控制器会先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然后RAM收到列的位置后，
经过一段时间，才会再传送行(Column)的位址，而这一段时间就是RAS Delay


Min RAS# active time(Tras)
又称RAM Active Timing(记忆体活跃延迟，我硬翻的..)
一般记忆体模组有分1bank跟2bank(非单面双面颗粒之分)，
当CPU在Bank1找完资料,Bank1便需要一段时间恢复才能再供利用,这一段时间就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充电时间 (Self-Refresh)。DRAM内部具有独立且内建的充电电路，
并于一定时间内做自我充电， 通常用在笔记型电脑或可携式电脑等的省电需求高的电脑。

由于DDR RAM的资料储存方式，是以一列下去储存，放满了或是不够放，才会换列。
因此位置的传送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)这种方式。
因此列定址后，只有行在换。也就是说，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)
等到行定址后，又要自主记忆体读取下一N笔资料，而所需的准备时间就是CL值。
因此RAM的参数中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay为最重要。


总结上述，这些记忆体参数选项代表了记忆体在既定的时脉下，(原本的工作时脉)
其DRAM颗粒内部指令传输的延迟，或是颗粒自我充电、放电所需时间、准备下一笔、找寻资料时间，
等等。因此想要记忆体以高时脉运作，则记忆体参数就必须调高(松)
否则记忆体容易传送错误资料，或是不稳定。

最常看到的DDR400/DDR500，记忆体参数有

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8

也有更高的(传输延迟更久的)
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10

以上参数通常适用DDR500以上。


若您的记忆体体质相当不错，也可以试试看以

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6

体质好的颗粒若跑DDR400 参数可以调至
CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5

所以您看到很多的DDR500，都是以较高的参数
(较长的讯号传输延迟来换取较高的运作时脉)