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[超频][CPU] AMD 939的超频设定大公开,请踊跃参与。谢谢。
以下是发表格式:(请将下面格式覆制后,尽量将各资料填完,然后发文。当然,各主机板
的BIOS内容并不相同,您可适度修改)
.............................................................................................................................
配备
CPU:  
CPU散热器:  
主机板:  
主机板BIOS版本:  
记忆体:  
电源供应器:
机壳:
 
我的BIOS 设定
1.电压设定:
CPU电压:  
记忆体电压:  
主机板晶片组电压:
 
2.CPU设定
FSB BUS Frequency:  
LTD/FSB Frequency Ratio:  
CPU/FSB Frequency Ratio:
 
3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET:  
Command Per Clock (1T/2T):      
Cas Latency Control     (Tcl):  
Ras# toCas#delay     (Trcd):  
Min Ras# Active time   (Tras):  
Row Precharge time   (Trp):  
Row Cycle time         (Trc):  
Row Reflash cycle time (Trfc):  
Row to Row delay     (Trrd):  
Write recovery time   (Twr):  
Write to Read delay   (Twtr):  
Read to Write delay   (Trwt):  

................................................................................................................................
1.力邀您公开AMD ATHLON64 939超频设定,供大家参考。
  许多想学超频的朋友,不知如何着手。一一说明,太难了。如果您不吝将您的超频设定
  公开,一方面,可让朋友们分享您的心得; 再方面,又可无形中指导、传授想学超频
  的朋友。
2.想学超频的朋友,或早已是超频的高手,可针对特定的超频设定,提出询问,也请原作
  者回覆,以便更多朋友学会超频。
3.非「AMD ATHLON64 939」的超频高手,欢迎您参考本楼,另开专题,做其他CPU的超
  频设定大调查。
..................................................................................................................................
发表方式:
1.请将上面的「发表格式」覆制后,再依您的主机板BIOS内容适度加减修改,并将各数据尽
  可能详细填写,然后发文。
2.敬请将您的记忆体厂牌、规格、型号及大小,尽可能详细列明,因为,这与数值设定,
  关系最为重大。谢谢。
3.千万拜托:只能善意追问某一设定,请绝对不要恶意质疑或怀疑别人的超频成果。谢谢。
4.一人可将不同的设定或不同的平台,重覆发表文章。


******下面的第一楼是小弟的超频设定,请指导。


[ 此文章被woolswell在2006-01-09 22:38重新编辑 ]



                
献花 x3 回到顶端 [楼 主] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-09 20:46 |
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图 1.



我的AMD 939的超频设定:(请参考上面图表)

配备
CPU: AMD 939 x2 44OO  
CPU散热器:XP90C  
主机板: DFI NF4 SLI-DR  
主机板BIOS版本:704-2(BETA)  
记忆体:芝奇BH-5终极华邦512*2  
电源供应器:AC-BEL(康舒)500W
机壳:极光大帝

我的BIOS 设定
1.电压设定:
CPU电压:1.504  
记忆体电压: 3.40V  
主机板晶片组电压:1.50V

2.CPU设定
FSB BUS Frequency:250  
LTD/FSB Frequency Ratio: 3.0
CPU/FSB Frequency Ratio:11

3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET: 200(RAM/FSB:01/01)  
Command Per Clock (1T/2T):ENABLE(即1T)    
Cas Latency Control   (Tcl): 2.0  
Ras# toCas#delay   (Trcd): 02  
Min Ras# Active time (Tras): 05  
Row Precharge time   (Trp): 02  
Row Cycle time     (Trc): 07  
Row Reflash cycle time(Trfc):15  
Row to Row delay   (Trrd): 03  
Write recovery time   (Twr): 03  
Write to Read delay (Twtr): 02  
Read to Write delay (Trwt): 03


[ 此文章被woolswell在2006-01-18 11:44重新编辑 ]


                
献花 x4 回到顶端 [1 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-09 20:48 |
emisarie
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路人甲
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754可以来参一脚吗??

CPU:Turion 64 ML-40
CPU散热器:XP-90 + Y-500
主机板:DFI LP UT nF3 250GB
主机板BIOS版本:0504
记忆体:芝奇 TCC5 512X2 + 散热铜片
电源供应器:ZIPPY 500W
机壳:智拓机壳

我的BIOS 设定
1.电压设定:
CPU电压:1.375V (此版会偷降压0.025 怪耶 表情 )
CPU电压增幅:104%
记忆体电压:2.8V
主机板晶片组电压:1.6V (晶片散热使用太业北桥铜柱 + Y-500)
2.CPU设定
FSB BUS Frequency:250
LTD/FSB Frequency Ratio:AUTO  
CPU/FSB Frequency Ratio: 10

3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET:200 FSB 1:1
Command Per Clock (1T/2T):ENABLE    
Cas Latency Control   (Tcl):3
Ras# toCas#delay   (Trcd):3
Min Ras# Active time   (Tras):5
Row Precharge time   (Trp):3
Row Cycle time       (Trc): 7
Row Reflash cycle time (Trfc):14  
Row to Row delay   (Trrd): 2
Write recovery time   (Twr): 2
Write to Read delay   (Twtr):2
Read to Write delay   (Trwt):3  

小弟超频结论
记忆体换TCCD 可上300...不过没小朋友 表情
--------------------------------------------------------
ps:原来250GB 要用SATA 3/4街头 才不会被限制阿 表情


[ 此文章被emisarie在2006-01-12 13:41重新编辑 ]


献花 x0 回到顶端 [2 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-10 04:09 |
gtt 手机
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大大 Turion 64 ML-40 原先的频率 是多少呢 ? 相当 INTEL CPU ? 表情


献花 x0 回到顶端 [3 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-10 08:41 |
emisarie
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路人甲
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下面是引用gtt于2006-01-10 08:41发表的 :
大大 Turion 64 ML-40 原先的频率 是多少呢 ? 相当 INTEL CPU ? 表情

预设的频率是200*11 也就是2200MHz
工作电压1.35
没有跟intel比较过 AMD算PR+值

这颗笔电级cpu比较桌上型AMD来看
大约是OP148等级...Athlon 64 3700+
因为L2-1MB 表情

以超频后的结果 250*10   3-3-3-5
大约是FX-55的水准...超频幅度15%
借朋友TCCD测试 上300 单通道 2.5-4-3-7
(不过太贵 买不起...他测完就拿回去了 小气 表情 )
如果DFI肯将NF3版再做改良 或者线路设计上多几颗电容
BIOS再改写一次 或许有更好的754奇迹

mark99
未超频 283分
超频   326分


[ 此文章被emisarie在2006-01-12 20:17重新编辑 ]


献花 x1 回到顶端 [4 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-10 11:11 |
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GSKILL BH-5 512Mb*2(WINBOND) DDR 400/1:1在AMD ATHLON64 939, 小弟的设定, 提供
拥有相同记忆体模组的朋友参考。

测式平台全同一楼,唯有CPU改为AMD 939 (周期 0517 DPMW)。

由下面可发现,华邦BH-5 DDR400,参数调校松或紧,关系其超频幅度,并非最大因素。
电压,才是其超频表现的绝对因素。
...................................................................................................................
记忆体参数设定第一部份:
CPC: 1T
TCL: 2.0
TRCD: 02
TRAS: 05
TRP: 02
TRC: 7
TRFC 15
TRRD: 2
TWR: 2
TWTR: 1
TRWT: 2
TREF: 2560CYCLES

依上述设定,依记忆体电压而不同,其外频最大值的改变如下:
记忆体电压:(另CPU电压之改变,在此略过)
2.7V: 9*220
2.8V: 9*223
2.9V: 9*230
3.0V: 9*236
3.1V: 9*241
3.2V: 9*250
3.3V: 9*262
3.4V: 9*269
3.5V: 9*274
再高电压,小弟没试了。
...................................................................................................................
记忆体参数设定第二部份:
CPC: 1T
TCL: 2.5
TRCD: 03
TRAS: 08
TRP: 03
TRC: 12
TRFC 15
TRRD: 3
TWR: 2
TWTR: 2
TRWT: 2
TREF: 2560CYCLES

依上述设定,依记忆体电压而不同,其外频最大值的改变如下:
记忆体电压:(另CPU电压之改变,在此略过)

2.7V: 9*235
2.8V: 9*241
2.9V: 9*244
3.0V: 9*250
3.1V: 9*255
3.2V: 9*261
3.3V: 9*266
3.4V: 9*272
3.5V: 9*276
再高电压,小弟没试了。
....................................................................................................................
下次公开小弟的GSKILL TCCD DDR600 512Mb*2的参数设定。那电压就没什么改变了。
上面POST的华邦BH-5,果然对电压敏感,不热不发挥,愈高压,愈高兴。真好玩。

关于记忆体,尤其是华邦BH-5,请看下面连结: (此连结是由硬体区朋友超机车大大所提供,
特此致谢。)

http://www.ongood.com.t...M/ram.htm


[ 此文章被woolswell在2006-01-11 11:55重新编辑 ]


                
献花 x1 回到顶端 [5 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-11 01:22 |
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下面是引用woolswell于2006-01-11 01:22发表的 :
GSKILL BH-5 512Mb*2(WINBOND) DDR 400/1:1在AMD ATHLON64 939, 小弟的设定, 提供
拥有相同记忆体模组的朋友参考。

测式平台全同一楼,唯有CPU改为AMD 939 (周期 0517 DPMW)。

.......

bh-5电压越高越好玩...超的越高
散热注意好就好...
电压到3.5v就好了..不要在高了
虽然有看过上4.5v的文章
但小弟个人认为是八蜡....

个人经验
使用GA-K8NS Ultra-939
bh-5使用2.7v无法开机 2.8v才可以开机....


献花 x0 回到顶端 [6 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-11 21:46 |
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小弟也有BH-5阿
不过是日本制程 华邦晶片 0431
当时委托神迹大在日本当地购买 日本物价还真是高阿 表情
250GB电压只能上3.1V 所以英雄无用武之地
目前正沉睡中..... 表情


献花 x0 回到顶端 [7 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-12 03:23 |
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配备
CPU: Athlon64 3000+   939   450 TPBW
CPU散热器:Hyper-6
主机板:技嘉 GA-K8NS Ultra-939
主机板BIOS版本:F9
记忆体:创见.装机后没拆来看过颗粒@@
电源供应器:七蒙 ST-350BKV
机壳:请点我

我的BIOS 设定
1.电压设定:
CPU电压:1.40v
记忆体电压:2.8v
主机板晶片组电压:1.50v

2.CPU设定
FSB BUS Frequency:  
LTD/FSB Frequency Ratio:  
CPU/FSB Frequency Ratio:

3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET:  
Command Per Clock (1T/2T):    
Cas Latency Control   (Tcl):  
Ras# toCas#delay   (Trcd):  
Min Ras# Active time   (Tras):
Row Precharge time   (Trp):  
Row Cycle time       (Trc):  
Row Reflash cycle time (Trfc):  
Row to Row delay   (Trrd):  
Write recovery time   (Twr):  
Write to Read delay   (Twtr):  
Read to Write delay   (Trwt):

懒的说,直接贴图吧.看图说故事




[ 此文章被kinta在2006-01-12 13:15重新编辑 ]


献花 x1 回到顶端 [8 楼] From:台湾中华电信 | Posted:2006-01-12 12:09 |
EasonHok
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配备
CPU: Athlon64 3000+   939
CPU散热器:北极风-CQ8(镀镍版)  
主机板:DFI Lanparty UT NF4-D  
主机板BIOS版本:NFD623-1
记忆体:GSKILL BH-5 512*2 (GH)  
电源供应器:ULTRA-XCONNECT 500W(模组化)
机壳: COOLER MASTER-CENTURION

我的BIOS 设定
1.电压设定:
CPU电压:1.425V  
记忆体电压:3.4V  
主机板晶片组电压:1.5V

2.CPU设定
FSB BUS Frequency:250  
LTD/FSB Frequency Ratio:4X  
CPU/FSB Frequency Ratio:X9

3.记忆体设定
DRAM FREQUENCY SET:  
Command Per Clock (1T/2T):ENABLE 1T    
Cas Latency Control   (Tcl): 2.0
Ras# toCas#delay   (Trcd): 02
Min Ras# Active time   (Tras): 05
Row Precharge time   (Trp):   02
Row Cycle time       (Trc):   7
Row Reflash cycle time (Trfc): 15
Row to Row delay   (Trrd):   2
Write recovery time   (Twr):   2
Write to Read delay   (Twtr): 1
Read to Write delay   (Trwt): 2

上述值得一提的是cpu的散热器,北极风这款散热器
跟 DFI-LP UT NF4-D 这块主机板还真非常的不合,
不仅背板固定座会卡到锡点,连风扇也是,插头是设计小四 pin
但主机板上的插座是小三 pin且旁边有颗电容靠得很近
硬要插上去就是会卡到电容,为了这个费了我一番功夫...
真是它XXX的 表情


[ 此文章被EasonHok在2006-01-13 21:42重新编辑 ]


献花 x1 回到顶端 [9 楼] From:台湾 和信超媒体宽带网 | Posted:2006-01-13 01:43 |

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